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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K416S-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K416S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K416S-VB 是一款采用 TO252 封裝的單N溝道MOSFET,專為中高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 的漏源極電壓 (VDS) 達(dá)到 60V,柵極電壓范圍為 ±20V,開(kāi)啟電壓為 1.7V。它采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),使得其導(dǎo)通電阻表現(xiàn)優(yōu)異,在 VGS=4.5V 時(shí)為 85mΩ,在 VGS=10V 時(shí)為 73mΩ。最大漏極電流為 18A,適合用于高效能電源管理及開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
K416S-VB MOSFET 憑借其高效能和可靠性,廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域和模塊中:

1. **電源管理**:由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,該MOSFET 適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源模塊(SMPS)。它能夠有效提升能量轉(zhuǎn)換效率,適合于各種電源管理系統(tǒng)。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:K416S-VB 適合用作電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)元件,能夠承受中等電流并提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,非常適合用于家電、電動(dòng)工具及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**:該MOSFET 適合在LED照明系統(tǒng)中使用,特別是在需要高效能和高穩(wěn)定性的驅(qū)動(dòng)器中,能夠提供平穩(wěn)的電流輸出,確保LED的長(zhǎng)壽命和高亮度。

4. **充電器和電池管理系統(tǒng)**:在充電器和電池管理模塊中,K416S-VB 可以用作開(kāi)關(guān)控制元件,支持高效的充電過(guò)程,確保電池的快速充電和安全性。

綜上所述,K416S-VB MOSFET 在電源管理、電動(dòng)機(jī)控制、照明以及充電系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域表現(xiàn)出色,特別適合需要高效、高可靠性的電氣設(shè)備和應(yīng)用。

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