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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4213-ZK-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4213-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K4213-ZK-VB 是一款高效的N溝道功率MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),具備卓越的導(dǎo)通性能和熱管理能力。該器件采用TO252封裝,支持高達(dá)30V的漏源電壓(VDS)和100A的連續(xù)漏極電流(ID),非常適合在高功率應(yīng)用中使用。其閾值電壓(Vth)為1.7V,柵源電壓(VGS)最大可達(dá)±20V,確保器件在不同工作條件下具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性。K4213-ZK-VB的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為3mΩ(在VGS=4.5V時(shí))和2mΩ(在VGS=10V時(shí)),極大地降低了功率損耗,提高了整體系統(tǒng)的能效。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench
- **其他性能**:K4213的設(shè)計(jì)優(yōu)化了開(kāi)關(guān)速度和電流處理能力,適合高頻和高負(fù)載應(yīng)用。

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
K4213-ZK-VB憑借其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適用于以下多個(gè)領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理系統(tǒng)**:該MOSFET在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源分配模塊中表現(xiàn)出色,能夠在多個(gè)電壓等級(jí)間高效地轉(zhuǎn)換電力,適合用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)設(shè)備等需要高效率和穩(wěn)定性的電源系統(tǒng)。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制**:由于其能夠處理高達(dá)100A的電流,K4213非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和控制模塊,尤其是在電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)工具和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的應(yīng)用,能夠提供平穩(wěn)且高效的電機(jī)控制。

3. **汽車(chē)電子**:在汽車(chē)電子領(lǐng)域,K4213可用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和電源管理模塊(PDM),其高耐壓和高電流能力使其在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作,保障汽車(chē)的安全性和可靠性。

4. **消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品**:這款MOSFET同樣適合用于筆記本電腦、手機(jī)和平板電腦的充電電路,能有效降低功耗并提升設(shè)備的續(xù)航能力,適應(yīng)快速充電和高頻開(kāi)關(guān)的需求。

K4213-ZK-VB以其優(yōu)越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為許多高效電源和電機(jī)控制系統(tǒng)的理想選擇。

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