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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K429S-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K429S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K429S-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K429S-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 100V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,確保其在多種工作條件下的可靠性和穩(wěn)定性。開啟閾值電壓(Vth)為 1.8V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 114mΩ @ VGS=10V,最大漏極電流(ID)可達(dá)到 15A。K429S-VB 采用尖端的 Trench 技術(shù),具有低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)特性,適用于多種電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

### 二、K429S-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO252
- **溝道類型**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:15A
- **技術(shù)類型**:Trench 技術(shù)
- **散熱性能**:TO252 封裝提供良好的散熱能力

### 三、K429S-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  K429S-VB 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中被廣泛應(yīng)用,適用于開關(guān)電源和線性電源系統(tǒng)。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使得它能夠在高效能下工作,降低能量損失,特別是在需要高功率密度的電源管理模塊中。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  由于其較高的電流處理能力,K429S-VB 適用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包括直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)。它可以作為開關(guān)元件,控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和調(diào)速,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和消費(fèi)類電器中。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**  
  K429S-VB 可以用作 LED 驅(qū)動(dòng)電路中的開關(guān)元件,適合高效能 LED 照明系統(tǒng)。它能夠提供穩(wěn)定的電流,確保 LED 在各種工作條件下的亮度穩(wěn)定性,適用于室內(nèi)和戶外照明應(yīng)用。

4. **電池充電和管理**  
  在電池充電和管理系統(tǒng)中,K429S-VB 可用于控制充電過(guò)程和電池保護(hù),尤其是在電動(dòng)工具和移動(dòng)設(shè)備中。其高效能和低導(dǎo)通損耗能夠提高充電效率并延長(zhǎng)電池壽命。

5. **便攜式設(shè)備電源管理**  
  K429S-VB 的 TO252 封裝設(shè)計(jì)使其非常適合用于便攜式電子設(shè)備的電源管理。這些設(shè)備包括智能手機(jī)、平板電腦和便攜式音響等,能夠在緊湊的空間中提供強(qiáng)大的電源解決方案。

綜上所述,K429S-VB 以其優(yōu)越的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,成為中等電壓電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的重要組成部分。

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