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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K973-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K973-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、K973-VB產(chǎn)品簡介:**

K973-VB是一款高效能的單通道N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V。在柵源電壓為4.5V和10V的條件下,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為85mΩ和73mΩ,最大漏極電流(ID)為18A。K973-VB采用Trench技術(shù),具備優(yōu)秀的開關(guān)特性和熱性能,非常適合用于高頻和高效率的電源管理應(yīng)用。

**二、K973-VB詳細(xì)參數(shù)說明:**

1. **封裝類型**:TO252  
2. **配置**:單N溝道  
3. **最大漏源電壓(VDS)**:60V  
4. **柵源電壓(VGS)**:±20V  
5. **閾值電壓(Vth)**:1.7V  
6. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:  
  - 85mΩ @ VGS=4.5V  
  - 73mΩ @ VGS=10V  
7. **最大漏極電流(ID)**:18A  
8. **最大功耗(Ptot)**:45W  
9. **工作溫度范圍**:-55°C至150°C  
10. **技術(shù)**:Trench技術(shù),適合高頻和高效應(yīng)用  
11. **最大脈沖漏極電流(IDM)**:30A  

**三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:**

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:K973-VB非常適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,特別是在降壓轉(zhuǎn)換器和升壓轉(zhuǎn)換器電路中。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力能夠提高能效,降低熱損耗。

2. **電源管理系統(tǒng)**:在電源管理模塊中,該MOSFET可用于開關(guān)電源(SMPS)、適配器和電池充電器等應(yīng)用。其高效的開關(guān)特性和良好的熱性能使其能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的要求。

3. **電動汽車**:K973-VB在電動汽車及其充電系統(tǒng)中也得到了廣泛應(yīng)用。由于其高電流和耐壓性能,該MOSFET可以在電機(jī)驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的能量傳輸和轉(zhuǎn)換。

4. **LED驅(qū)動電路**:該MOSFET適用于LED照明應(yīng)用,包括LED驅(qū)動電路和智能照明系統(tǒng)。通過對LED進(jìn)行高效控制,K973-VB能夠提高照明系統(tǒng)的能效和可靠性。

K973-VB憑借其卓越的電氣性能和廣泛的應(yīng)用適用性,成為現(xiàn)代電源管理和高效能系統(tǒng)中的理想選擇,滿足各類高頻和高效應(yīng)用的需求。

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