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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR024Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR024Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR024Z-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

LR024Z-VB 是一款單極N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用TO252封裝,設(shè)計用于高效能電力應(yīng)用。該器件的漏源電壓為60V,柵源電壓范圍為±20V,適用于各種電源管理和轉(zhuǎn)換場合。LR024Z-VB 的開啟閾值電壓為1.7V,確保其在較低的電壓下也能夠快速開啟。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵極電壓為4.5V時為85mΩ,而在10V時降至73mΩ,表現(xiàn)出優(yōu)良的導(dǎo)通性能,極大地降低了功耗,使其成為高效電源解決方案的理想選擇。

### LR024Z-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)類型**: Trench技術(shù)
- **應(yīng)用溫度范圍**: 適應(yīng)廣泛的工作環(huán)境,具有良好的熱穩(wěn)定性。

### LR024Z-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**:LR024Z-VB 的低導(dǎo)通電阻和相對較高的漏極電流使其非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。它在這些應(yīng)用中能夠顯著降低能量損耗,提高電源的整體效率,尤其適用于對功率損耗敏感的設(shè)備。

2. **消費電子產(chǎn)品**:由于其優(yōu)越的性能,該MOSFET可用于消費電子產(chǎn)品中的電源管理模塊,如筆記本電腦、平板電腦和智能手機的充電器。這種產(chǎn)品要求在小型化的同時提供高效的電源轉(zhuǎn)換。

3. **電機驅(qū)動**:LR024Z-VB 適用于電機驅(qū)動應(yīng)用,如電動工具和家用電器。其能夠承受高電流,并在較低的功耗下高效運行,適合無刷直流電機(BLDC)和其他電機控制系統(tǒng)。

4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,該MOSFET 可以用于電池管理系統(tǒng)(BMS)、車載充電器和電源分配模塊,保證系統(tǒng)的高效能與可靠性,特別是在電動和混合動力汽車中。

LR024Z-VB 以其高性能和多功能性,成為高效電源解決方案中不可或缺的器件,廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域的電源管理與轉(zhuǎn)換模塊。

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