--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介**
LR120ATF-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,封裝為 TO252,專為高效電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏源電壓(VDS)為100V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,導(dǎo)通閾值電壓(Vth)為1.8V。在 VGS 為 10V 時,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 114mΩ,最大漏極電流(ID)可達(dá)到 15A。該器件采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),具有較低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)良的熱性能,適合用于各種需要高可靠性和高效能的電子設(shè)備。
**詳細(xì)參數(shù)說明**
1. **封裝類型**:TO252
2. **器件配置**:單N溝道
3. **漏源電壓(VDS)**:100V
4. **柵源電壓(VGS)**:±20V
5. **導(dǎo)通閾值電壓(Vth)**:1.8V
6. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:114mΩ(在 VGS=10V 時)
7. **最大漏極電流(ID)**:15A
8. **技術(shù)類型**:溝槽(Trench)技術(shù)
9. **熱阻**:根據(jù)產(chǎn)品文檔提供的熱特性參數(shù)
10. **開關(guān)速度**:適用于高頻切換,具體參數(shù)取決于應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
11. **工作溫度范圍**:通常為-55°C至150°C,具體需參照產(chǎn)品規(guī)格書
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**
LR120ATF-VB MOSFET 適用于多個電源管理和開關(guān)應(yīng)用,常見的應(yīng)用場景包括:
1. **開關(guān)電源**:該 MOSFET 可用于開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中,尤其在降壓和升壓轉(zhuǎn)換器中,通過低導(dǎo)通電阻來提高整體系統(tǒng)的能效,適合于計(jì)算機(jī)電源和工業(yè)電源模塊。
2. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電動汽車(EV)和儲能系統(tǒng)中,該器件可用于監(jiān)控和管理電池的充放電過程,確保在不同工作狀態(tài)下的安全與可靠性。
3. **電動機(jī)驅(qū)動**:LR120ATF-VB 適合在無刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動中使用,為電機(jī)提供高效的電流控制,提升驅(qū)動效率。
4. **LED驅(qū)動電路**:在LED照明系統(tǒng)中,MOSFET 可以用作開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的LED驅(qū)動與調(diào)光控制。
5. **消費(fèi)電子設(shè)備**:該MOSFET 可用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理,如平板電腦、智能手機(jī)和家用電器中,提高其功率轉(zhuǎn)換效率和可靠性。
憑借其優(yōu)越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,LR120ATF-VB MOSFET 是現(xiàn)代電子設(shè)備中理想的選擇。
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