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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LR230ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LR230ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、LR230ATM-VB 產品簡介
LR230ATM-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用先進的溝槽(Trench)技術設計,旨在滿足高電壓和中等功率應用的需求。該器件的最大漏源電壓(VDS)為200V,能夠承受高達200V的電壓,適合于電力電子應用。其柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為3V,導通電阻(RDS(ON))為245mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)為10A。LR230ATM-VB 的TO252封裝小巧,散熱性能良好,非常適合用于緊湊型電路設計,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換器和電機控制等領域。

### 二、LR230ATM-VB 參數(shù)說明
1. **封裝類型**: TO252
  - 提供良好的散熱性能,并適用于多種電路板設計,能夠有效降低工作溫度。

2. **溝道類型**: 單N溝道 (Single-N-Channel)
  - 適合用于高效電流控制和開關應用。

3. **漏源電壓 (VDS)**: 200V
  - 能夠處理最大200V的電壓,適合高電壓的電力電子應用。

4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
  - 最大柵極驅動電壓,確保MOSFET的穩(wěn)定工作和高效切換。

5. **閾值電壓 (Vth)**: 3V
  - 使MOSFET導通所需的最小柵極電壓,適合中低電壓驅動電路。

6. **導通電阻 (RDS(ON))**: 245mΩ @ VGS=10V
  - 較低的導通電阻幫助降低功耗,提高系統(tǒng)效率,適合高頻開關應用。

7. **漏極電流 (ID)**: 10A
  - 最大連續(xù)漏極電流為10A,適合中等功率應用。

8. **技術**: 溝槽 (Trench)
  - 采用先進的溝槽技術,提供更好的電流處理能力和較低的導通電阻,優(yōu)化開關性能。

### 三、應用領域及模塊舉例
1. **開關電源 (SMPS)**
  LR230ATM-VB 在開關模式電源(SMPS)中得到廣泛應用,尤其是在需要高效率和高功率密度的場合。它的低導通電阻能夠有效減少功耗,并增強轉換效率,保證設備在高負載情況下穩(wěn)定運行。

2. **DC-DC 轉換器**
  在多種DC-DC轉換器中,LR230ATM-VB 可以作為開關元件,處理高達200V的輸入電壓,適用于電池管理系統(tǒng)和電源模塊,提供高效的電能轉換和輸出穩(wěn)定性。

3. **電機驅動**
  LR230ATM-VB 適合用于電機控制和驅動應用,特別是對中等功率的直流電機和步進電機的控制,其最大電流能力為10A,可以滿足高效驅動的需求。

4. **負載開關與保護電路**
  此MOSFET 還可用于負載開關應用,在負載管理中提供高效電源切換,利用其低導通電阻特性,提升保護電路的性能,確保在過流或短路情況下保護系統(tǒng)的安全性和可靠性。

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