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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR3705Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR3705Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR3705Z-VB 產(chǎn)品簡介

LR3705Z-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最高漏源極耐壓為60V,使其能夠在各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中穩(wěn)定工作。LR3705Z-VB的閾值電壓為3V,低導(dǎo)通電阻(12mΩ @ VGS=4.5V,4.5mΩ @ VGS=10V)確保在開關(guān)操作時(shí)的能量損耗最小化,提高整體系統(tǒng)效率。采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),該MOSFET能夠在高頻開關(guān)條件下保持出色的性能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中。

### LR3705Z-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源極耐壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS=4.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 97A
- **技術(shù)類型**: 溝槽(Trench)技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理**  
LR3705Z-VB 非常適合用于高效能的電源管理系統(tǒng),如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源分配單元(PDU)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升電源的轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源和工業(yè)電源模塊。

2. **開關(guān)電源 (SMPS)**  
在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)中,LR3705Z-VB 作為主要的開關(guān)元件,能夠在高電壓和高頻條件下運(yùn)行,適合用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)器等,提高能效并減少發(fā)熱,延長產(chǎn)品使用壽命。

3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**  
該MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)良好,能夠高效控制充電與放電過程,適合應(yīng)用于電動(dòng)汽車及儲能設(shè)備。LR3705Z-VB 的高電流承載能力和低功耗特性可以有效提高電池使用效率,保障系統(tǒng)安全運(yùn)行。

4. **逆變器與整流器**  
LR3705Z-VB 可用作逆變器和整流器電路中的開關(guān)器件,特別適用于太陽能逆變器和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。其低導(dǎo)通電阻使得能量轉(zhuǎn)換更加高效,能在高負(fù)載條件下保持穩(wěn)定的性能,滿足可再生能源系統(tǒng)的需求。

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