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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR7807CPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR7807CPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、LR7807CPBF-VB產(chǎn)品簡介

LR7807CPBF-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有高達(dá)30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)承受能力,適合多種電子電路。LR7807CPBF-VB的閾值電壓(Vth)為1.7V,使其在較低的柵壓下能夠快速導(dǎo)通,提供卓越的開關(guān)性能。在4.5V的柵壓下,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至9mΩ,在10V下更是降至7mΩ,確保高電流(ID最大可達(dá)70A)的高效傳輸。其Trench技術(shù)的應(yīng)用,進(jìn)一步提升了器件的能效和熱管理能力。

### 二、LR7807CPBF-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **器件類型**: N溝道MOSFET
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C
- **功耗 (Ptot)**: 50W

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源轉(zhuǎn)換**
  - LR7807CPBF-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器。在這些應(yīng)用中,它可以作為高效的開關(guān)元件,優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗,特別是在對(duì)功率效率有嚴(yán)格要求的便攜式設(shè)備中表現(xiàn)尤為突出。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
  - 在電動(dòng)機(jī)控制領(lǐng)域,LR7807CPBF-VB適合用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。在電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行過程中,低導(dǎo)通電阻能夠顯著降低熱損耗,提高系統(tǒng)的整體效率,保證電機(jī)在高負(fù)載下穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**
  - 該MOSFET在LED驅(qū)動(dòng)電路中同樣具有廣泛應(yīng)用,能夠提供高效的電源開關(guān)和調(diào)光控制。由于其優(yōu)異的熱性能和低導(dǎo)通電阻,LR7807CPBF-VB可以顯著提高LED照明系統(tǒng)的能效和壽命,滿足現(xiàn)代照明需求。

4. **通信設(shè)備**
  - 在通信基礎(chǔ)設(shè)施中,LR7807CPBF-VB可用于功率放大器和信號(hào)放大器等應(yīng)用,提供可靠的開關(guān)性能和穩(wěn)定的功率輸出。其高電流承載能力和低功耗特性確保通信系統(tǒng)在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)不斷增長的數(shù)據(jù)傳輸需求。

綜上所述,LR7807CPBF-VB憑借其優(yōu)異的電氣性能和廣泛的適用領(lǐng)域,成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中高效能和高可靠性的理想選擇。

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