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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LR7807Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LR7807Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR7807Z-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

LR7807Z-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和高電流應用設計。該器件的最大漏源極電壓(VDS)可達30V,適用于各種開關電源和功率管理電路。LR7807Z-VB 的柵極驅動電壓范圍為±20V,確保其在多種工作條件下可靠運行。其閾值電壓(Vth)為1.7V,具備優(yōu)秀的導通特性,其導通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時為9mΩ,在VGS為10V時為7mΩ,這使得該器件在高效能量傳輸和快速開關應用中表現(xiàn)出色。憑借其先進的溝槽技術,LR7807Z-VB 旨在減少功耗并提升系統(tǒng)的整體效率,是電力電子領域中的理想選擇。

### LR7807Z-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱         | 數(shù)值                           |
|------------------|--------------------------------|
| 封裝類型         | TO252                          |
| MOSFET配置       | 單N溝道                        |
| 漏源極電壓 (VDS) | 30V                            |
| 柵極電壓 (VGS)   | ±20V                           |
| 閾值電壓 (Vth)   | 1.7V                           |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS = 4.5V             |
|                   | 7mΩ @ VGS = 10V               |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 70A                            |
| 技術              | 溝槽 (Trench) 技術             |

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  LR7807Z-VB 在電源管理模塊中具有重要應用,尤其是在開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器中。其高電流能力和低導通電阻使其能夠有效降低功耗,提高系統(tǒng)的能效,適合用于電源適配器和電池供電設備。

2. **電動機驅動**  
  在電機控制電路中,LR7807Z-VB 可作為高效的開關元件,能夠快速切換以滿足電動機啟動和運行時的電流需求。其優(yōu)異的開關特性使其非常適合用于工業(yè)電動機、家用電動機及機器人驅動。

3. **LED照明應用**  
  LR7807Z-VB 可用于LED驅動電路中,以高效地控制LED的亮度。通過調節(jié)導通狀態(tài),該MOSFET 能夠實現(xiàn)準確的電流控制,從而優(yōu)化LED的性能和能效,適合用于各種照明系統(tǒng)。

4. **電池充電和管理系統(tǒng)**  
  在電池管理和充電系統(tǒng)中,LR7807Z-VB 具有出色的開關性能,可用于高效的充電控制和電流管理。其低功耗特性使得充電過程更加高效,有助于延長電池的使用壽命,廣泛應用于便攜式設備和電動汽車充電系統(tǒng)中。

LR7807Z-VB 的卓越性能和設計使其成為多個行業(yè)和應用的理想選擇,特別是在需要中等電壓和高效能量管理的系統(tǒng)中。

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