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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LSG07N65A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LSG07N65A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、LSG07N65A-VB 產(chǎn)品簡介

LSG07N65A-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具有優(yōu)異的電氣性能和可靠性。該器件支持最高650V的漏源電壓(VDS),適合用于高壓應(yīng)用。其最大漏極電流(ID)為9A,能夠滿足中等功率電路的需求。LSG07N65A-VB在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為500mΩ,確保了良好的開關(guān)效率和較低的功耗。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,提供出色的熱性能和開關(guān)特性,適合各種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用。

### 二、LSG07N65A-VB 詳細參數(shù)說明

- **器件類型**: N溝道MOSFET
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術(shù)類型**: SJ_Multi-EPI
- **最大功耗 (Ptot)**: 65W
- **結(jié)溫范圍 (Tj)**: -55°C 至 +150°C

### 三、適用領(lǐng)域和模塊說明

1. **電源轉(zhuǎn)換器**
  - LSG07N65A-VB可廣泛用于開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計,適合在高電壓和中等電流的條件下穩(wěn)定工作。它能夠有效控制電壓和電流,提升能效,降低功耗,適用于各種電源適配器和充電器。

2. **電動機驅(qū)動**
  - 該MOSFET在電機控制應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合用于控制直流電機和步進電機,特別是在需要650V電壓的高壓驅(qū)動應(yīng)用中,可以提供穩(wěn)定的電流輸出和響應(yīng)。

3. **照明和LED驅(qū)動**
  - LSG07N65A-VB適用于LED照明解決方案中的開關(guān)控制部分,能夠高效管理LED的驅(qū)動電流,確保其穩(wěn)定性和效率,適合家庭和商業(yè)照明系統(tǒng)。

4. **逆變器和可再生能源系統(tǒng)**
  - 在太陽能逆變器和風(fēng)能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,該器件能夠提供必要的電壓和電流控制,確保電能的高效轉(zhuǎn)化和利用,是可再生能源領(lǐng)域的理想選擇。

5. **電氣控制裝置**
  - LSG07N65A-VB還可應(yīng)用于各種電氣控制模塊,如繼電器、保護電路和開關(guān)電路等,能在高壓環(huán)境下提供可靠的性能,確保設(shè)備的安全運行。

通過其優(yōu)異的性能和廣泛的適用性,LSG07N65A-VB能夠滿足高壓、小電流應(yīng)用的需求,是工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域中理想的選擇。

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