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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MTD15N06-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): MTD15N06-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

MTD15N06-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。該 MOSFET 的關(guān)鍵特性包括 VDS(漏源電壓)為 60V,VGS(柵源電壓)為 ±20V,閾值電壓 Vth 為 1.7V。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 85mΩ,而在 VGS 為 10V 時(shí)為 73mΩ,最大漏電流 ID 達(dá)到 18A。MTD15N06-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和熱穩(wěn)定性,適合高效能應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: MTD15N06-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **VDS**: 60V(漏源電壓)
- **VGS**: ±20V(柵源電壓)
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理**:
  MTD15N06-VB 可用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的高效能電源轉(zhuǎn)換模塊,提供高電壓和高電流的開(kāi)關(guān)控制,幫助提高整體系統(tǒng)效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該 MOSFET 可以用于直流電機(jī)和無(wú)刷電機(jī)的控制電路,提供快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng)和低功耗特性,適合于各種工業(yè)和家電應(yīng)用。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)**:
  MTD15N06-VB 適用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,能夠以高效率控制 LED 的亮度,支持調(diào)光功能,常見(jiàn)于照明設(shè)備和汽車(chē)照明系統(tǒng)。

4. **消費(fèi)電子**:
  在移動(dòng)設(shè)備和個(gè)人電子產(chǎn)品中,該 MOSFET 可用作電池管理系統(tǒng)的一部分,優(yōu)化充電和放電過(guò)程,提高設(shè)備的續(xù)航能力和安全性。

5. **充電器與適配器**:
  該 MOSFET 適合于充電器和適配器的高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,能夠處理高負(fù)載電流,并確保在較小的熱損耗下運(yùn)行。

MTD15N06-VB 因其優(yōu)異的性能和多樣化的應(yīng)用場(chǎng)景,是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件之一。

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