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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD3055EL-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MTD3055EL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、MTD3055EL-VB 產(chǎn)品簡介  

MTD3055EL-VB 是一款高效能的 **單 N 溝道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **TO252 封裝**。該器件具備 **60V** 的漏源電壓 (VDS) 和 **±20V** 的柵源電壓 (VGS),其閾值電壓為 **1.7V**。在 **VGS = 10V** 時,該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 **73mΩ**,在 **VGS = 4.5V** 時為 **85mΩ**,支持最大 **18A** 的漏極電流 (ID)。MTD3055EL-VB 采用 **Trench 技術**,提供高效的開關性能和低功耗特性,廣泛應用于各類電源管理和開關電源的設計中。

---

### 二、MTD3055EL-VB 詳細參數(shù)說明  

| 參數(shù)                 | 規(guī)格                             |
|--------------------|--------------------------------|
| **封裝**             | TO252                         |
| **配置**             | Single N-Channel              |
| **漏源電壓 (VDS)**    | 60 V                         |
| **柵源電壓 (VGS)**    | ±20 V                        |
| **閾值電壓 (Vth)**     | 1.7 V                        |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 85 mΩ @ VGS = 4.5 V          |
|                       | 73 mΩ @ VGS = 10 V            |
| **漏極電流 (ID)**      | 18 A                         |
| **技術**             | Trench                        |

MTD3055EL-VB 的設計確保其在高效能和低功耗應用中的優(yōu)越表現(xiàn),特別是在要求高電流和低導通損耗的應用場景。

---

### 三、應用領域與模塊  

1. **電源管理**  
  MTD3055EL-VB 被廣泛用于電源管理系統(tǒng)中,作為負載開關和電源切換器。它能夠高效控制電源的輸出,確保電源在高效和安全的狀態(tài)下工作,適合各類電子設備的電源控制。

2. **開關電源 (SMPS)**  
  該 MOSFET 常用于開關電源模塊,提供高效的開關操作,能夠處理高頻率信號并降低功耗,適用于計算機電源、充電器和其他工業(yè)電源解決方案。

3. **LED 驅(qū)動電路**  
  MTD3055EL-VB 在 LED 驅(qū)動電路中表現(xiàn)良好,能夠高效控制 LED 的電流,適用于商業(yè)和家用 LED 照明系統(tǒng),提升整體照明效率并降低能耗。

4. **電機驅(qū)動**  
  該器件也適用于電機驅(qū)動應用,適合控制直流電機和步進電機,廣泛應用于電動工具、家用電器和自動化設備中,為其提供強勁的動力輸出。

5. **通信設備**  
  MTD3055EL-VB 可用于各類通信設備中的電源模塊,確保電源的穩(wěn)定傳輸,適用于無線通信設備、網(wǎng)絡設備及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),提升系統(tǒng)整體性能。

通過其卓越的性能和廣泛的應用領域,MTD3055EL-VB 成為現(xiàn)代電源管理與控制應用中的重要組件,有效提升各類電子設備的工作效率與可靠性。

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