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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MTD3055ET4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MTD3055ET4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**MTD3055ET4G-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計。其優(yōu)越的 Trench 技術(shù)實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和高效的電流控制,使其在各種電源管理和開關(guān)電路中表現(xiàn)出色。該 MOSFET 的漏源電壓(VDS)為 60V,適合多種電氣設(shè)備的應(yīng)用,最大漏電流可達 18A,能夠應(yīng)對高負載需求,廣泛用于工業(yè)和消費電子產(chǎn)品中。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:MTD3055ET4G-VB  
- **封裝**:TO252  
- **配置**:單 N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V  
- **漏電流 (ID)**:18A  
- **技術(shù)**:Trench  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
  MTD3055ET4G-VB 常用于開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,作為高效的開關(guān)器件,能夠提供穩(wěn)定的電力輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻可減少能量損耗,提高整體效率。

2. **電動機驅(qū)動**:
  該 MOSFET 在電動機控制電路中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于各種直流電動機和步進電動機的驅(qū)動。由于其高電流處理能力和快速開關(guān)特性,能夠有效地控制電機的運行狀態(tài),提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

3. **照明控制**:
  在 LED 照明驅(qū)動應(yīng)用中,MTD3055ET4G-VB 可用于控制 LED 的開關(guān)狀態(tài),提供穩(wěn)定的電流,從而實現(xiàn)高效的照明解決方案,適用于商業(yè)和住宅照明系統(tǒng)。

4. **消費電子產(chǎn)品**:
  由于其緊湊的封裝和高性能,該 MOSFET 適合用于便攜式設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中的電源管理和開關(guān)控制電路,提高了設(shè)備的能效和運行穩(wěn)定性。

5. **電池管理系統(tǒng)**:
  MTD3055ET4G-VB 還可應(yīng)用于電池管理系統(tǒng),特別是在電動汽車和儲能設(shè)備中,負責電池的充放電控制,確保系統(tǒng)的安全和高效運行。

MTD3055ET4G-VB 的優(yōu)越性能和多樣化的應(yīng)用場景使其成為現(xiàn)代電子設(shè)計中不可或缺的組件。

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