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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE2090K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: NCE2090K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NCE2090K-VB 產(chǎn)品簡介

NCE2090K-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓高電流應用設計。其最大漏極-源極電壓 (VDS) 為 20V,能夠在高達 100A 的漏極電流 (ID) 下可靠工作。該 MOSFET 采用先進的 Trench 技術,具有極低的導通電阻 (RDS(ON)),在 VGS 為 2.5V 時為 6mΩ,在 VGS 為 4.5V 時為 4.5mΩ,確保在開關應用中具有高效率和低功耗。其閾值電壓 (Vth) 范圍為 0.5V 至 1.5V,使其能夠在多種驅動電路中穩(wěn)定工作。

### NCE2090K-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)              | 說明                        |
|------------------|----------------------------|
| **型號**         | NCE2090K-VB                |
| **封裝**         | TO252                      |
| **配置**         | 單 N 通道                   |
| **最大 VDS**     | 20V                        |
| **最大 VGS**     | ±20V                       |
| **閾值電壓 (Vth)** | 0.5V ~ 1.5V               |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 6mΩ @ VGS = 2.5V        |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 4.5mΩ @ VGS = 4.5V      |
| **最大漏電流 (ID)** | 100A                      |
| **技術**         | Trench                     |

### 適用領域和模塊示例

1. **電源管理**: NCE2090K-VB 可廣泛應用于開關電源設計,作為高效開關元件,在降壓和升壓轉換器中提供低導通損耗,從而提高整體能效。

2. **電機控制**: 在電機驅動系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于驅動直流電機和步進電機,能夠在快速開關狀態(tài)下提供穩(wěn)定的電流,確保電機的高效運行。

3. **LED 驅動**: 在 LED 照明應用中,NCE2090K-VB 可作為高效的開關器件,確保快速響應和低功耗,適合用于大功率 LED 驅動模塊。

4. **汽車電子**: 該器件在汽車電子中可用于負載開關、供電管理和電池監(jiān)控系統(tǒng),確保高電流處理能力和可靠性,適用于電動汽車和混合動力汽車。

5. **消費電子產(chǎn)品**: NCE2090K-VB 的小型化和高效能使其適用于各種消費電子產(chǎn)品,如便攜式充電器、移動設備和智能家居產(chǎn)品,提升產(chǎn)品的能效和便攜性。

通過這些應用示例,NCE2090K-VB 顯示出其在現(xiàn)代電子設計中的廣泛適用性,成為高效能和高可靠性系統(tǒng)的理想選擇。

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