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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE40H12K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: NCE40H12K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 1.6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:NCE40H12K-VB MOSFET

NCE40H12K-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流和低導通損耗應用設(shè)計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為40V,能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作。其柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為3V,確??焖匍_關(guān)響應。NCE40H12K-VB在@VGS=4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為3mΩ,在@VGS=10V時為1.6mΩ,顯示出極低的導通損耗和高電流承載能力,最大漏極電流(ID)為120A。這款MOSFET基于Trench技術(shù),具備良好的熱管理性能,廣泛應用于電源管理、電動機驅(qū)動和消費電子等領(lǐng)域。

---

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:NCE40H12K-VB  
- **封裝**:TO252  
- **配置**:單N通道  
- **最大漏源電壓(VDS)**:40V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **閾值電壓(Vth)**:3V  
- **導通電阻(RDS(ON))**:  
 - @VGS = 4.5V:3mΩ  
 - @VGS = 10V:1.6mΩ  
- **最大漏極電流(ID)**:120A  
- **技術(shù)**:Trench  

---

### 應用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**:  
  NCE40H12K-VB在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊中發(fā)揮重要作用,適用于高效能電源的開關(guān)控制,能夠降低轉(zhuǎn)換損耗,提升系統(tǒng)效率。

2. **電動機驅(qū)動**:  
  該MOSFET可用于電動機驅(qū)動器,支持高電流需求的電機控制應用,適合于電動工具、家電和工業(yè)設(shè)備中的驅(qū)動控制,提供出色的啟動和運行性能。

3. **LED驅(qū)動器**:  
  NCE40H12K-VB適用于LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動模塊,控制LED的電源供應,實現(xiàn)高效穩(wěn)定的亮度調(diào)節(jié),適合各種照明場景。

4. **電池管理系統(tǒng)**:  
  在電動汽車和可再生能源應用中,該MOSFET可用于電池管理系統(tǒng),確保電池的高效充放電和保護,提升電池的整體性能和壽命。

5. **消費電子產(chǎn)品**:  
  NCE40H12K-VB廣泛應用于智能手機、平板電腦等消費電子設(shè)備的電源管理,作為開關(guān)元件控制充電過程,保障設(shè)備的安全性和效率。

憑借其出色的電氣性能和廣泛的應用領(lǐng)域,NCE40H12K-VB已成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的重要組成部分,滿足了高效率和高可靠性的嚴格要求。

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