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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NCE5080K-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NCE5080K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NCE5080K-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NCE5080K-VB 是一款高性能單N通道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓(VDS)為60V,支持±20V的柵源電壓(VGS),確保廣泛的應(yīng)用靈活性。其閾值電壓(Vth)為3V,有助于在較低電壓下快速開(kāi)啟。NCE5080K-VB 在VGS為4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為12mΩ,而在VGS為10V時(shí)進(jìn)一步降低至4.5mΩ,具備承載高達(dá)97A的連續(xù)漏電流(ID)。憑借其先進(jìn)的Trench技術(shù),該MOSFET 提供出色的開(kāi)關(guān)性能和熱管理能力,適合用于各類電源管理和驅(qū)動(dòng)電路。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: NCE5080K-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 12mΩ @ VGS = 4.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏電流 (ID)**: 97A
- **最大功耗 (Ptot)**: 適合高功率應(yīng)用
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域與模塊

NCE5080K-VB 在多種應(yīng)用領(lǐng)域展示了其卓越的性能,主要適用以下領(lǐng)域:

1. **電源管理系統(tǒng)**: NCE5080K-VB 是DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源中的關(guān)鍵元件,能夠有效地提高電能轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)電源及工業(yè)電源系統(tǒng)。

2. **電動(dòng)汽車(EV)**: 該MOSFET 適用于電池管理系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件,能夠高效控制電池的充電與放電過(guò)程,確保電動(dòng)汽車的性能與續(xù)航能力。

3. **LED驅(qū)動(dòng)電路**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,NCE5080K-VB 被廣泛用于LED驅(qū)動(dòng)模塊中,提供穩(wěn)定的電流輸出,保證LED的均勻亮度和延長(zhǎng)使用壽命。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制**: 該MOSFET 非常適合用于電機(jī)控制電路,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的調(diào)速和運(yùn)行,廣泛應(yīng)用于自動(dòng)化設(shè)備、機(jī)器人及電動(dòng)工具中。

5. **高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用**: NCE5080K-VB 的快速開(kāi)關(guān)特性使其在高頻開(kāi)關(guān)電路中表現(xiàn)出色,確保系統(tǒng)的高效性和穩(wěn)定性,適用于通信和工業(yè)設(shè)備中的開(kāi)關(guān)電源。

憑借其優(yōu)異的性能,NCE5080K-VB 成為多種電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想選擇。

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