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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE5530K-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: NCE5530K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 20mΩ@VGS=10V
  • ID -50A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NCE5530K-VB 產(chǎn)品簡介  

NCE5530K-VB 是一款高性能單 P 通道 MOSFET,封裝采用 TO252,專為要求高效率和高可靠性的應用而設計。該器件的漏極-源極電壓 (V_DS) 為 -60V,柵極-源極電壓 (V_GS) 為 ±20V,閾值電壓 (V_th) 為 -1.7V。其在 V_GS 為 4.5V 時的導通電阻 (R_DS(ON)) 為 25mΩ,而在 V_GS 為 10V 時進一步降低至 20mΩ,支持高達 -50A 的漏電流。這種 Trench 技術使 NCE5530K-VB 在實現(xiàn)低功耗和高開關效率的同時,具有極佳的熱性能,非常適合各種電源管理和負載開關應用。

---

### 詳細參數(shù)說明  

- **型號**: NCE5530K-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單 P 通道  
- **漏極-源極電壓 (V_DS)**: -60V  
- **柵極-源極電壓 (V_GS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (V_th)**: -1.7V  
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:  
 - 25mΩ(在 V_GS = 4.5V 時)  
 - 20mΩ(在 V_GS = 10V 時)  
- **最大漏電流 (I_D)**: -50A  
- **技術**: Trench  

---

### 適用領域和模塊示例  

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  NCE5530K-VB 在電源管理系統(tǒng)中可以用作負載開關,能夠有效控制功率的分配,優(yōu)化整體能效和穩(wěn)定性。

2. **電動工具**  
  此 MOSFET 適用于電動工具中的電源切換,能夠承受高電流和高電壓,為工具提供可靠的電源解決方案。

3. **電動車輛**  
  在電動車輛的驅動電路中,NCE5530K-VB 可以實現(xiàn)高效的電源轉換和管理,支持更長的續(xù)航里程和更快的充電速度。

4. **家用電器**  
  NCE5530K-VB 適合用于家用電器中的電源控制,如洗衣機、冰箱等,能夠確保高效、穩(wěn)定的電力供應。

5. **LED 照明**  
  該器件在 LED 驅動應用中能夠提供穩(wěn)定的電流和亮度,廣泛應用于各類室內(nèi)外照明系統(tǒng)。

NCE5530K-VB 是一款在多種應用中都能提供出色性能的 P 通道 MOSFET,確保設備的可靠性和高效性。

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