日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

NCE60P50K-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NCE60P50K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 20mΩ@VGS=10V
  • ID -50A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是**NCE60P50K-VB**單P通道MOSFET的產(chǎn)品簡介、參數(shù)說明以及應(yīng)用示例:  

---

### **一、產(chǎn)品簡介**  
NCE60P50K-VB是一款高效能的單P通道MOSFET,采用TO252封裝,適合高電壓和大電流應(yīng)用。該MOSFET的漏源電壓(VDS)為-60V,能夠處理較高的負(fù)電壓,使其在需要P通道開關(guān)的場合表現(xiàn)出色。其最大門極至源極電壓為±20V,提供靈活的驅(qū)動能力。該器件的閾值電壓(Vth)為-1.7V,確保能夠在低門極電壓下開啟。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V和10V時分別為25mΩ和20mΩ,提供低功耗和高效率的特性。最大漏電流(ID)為-50A,適合多種高電流應(yīng)用。憑借Trench技術(shù),該MOSFET具有良好的開關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗,非常適合電源管理和電動機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用。

---

### **二、詳細(xì)參數(shù)說明**  
- **型號**: NCE60P50K-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單P通道  
- **漏極至源極電壓 (VDS)**: -60V  
- **門極至源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 25mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 20mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: -50A  
- **技術(shù)**: Trench  

---

### **三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例**  
**1. 電源管理系統(tǒng)**  
NCE60P50K-VB在開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中廣泛應(yīng)用,適合用于高效能電源解決方案,能夠提供低損耗和高可靠性的電源轉(zhuǎn)換。

**2. 電動機(jī)驅(qū)動**  
該MOSFET非常適合用于電動機(jī)驅(qū)動電路,如步進(jìn)電機(jī)和直流電動機(jī),提供高電流控制和快速開關(guān)能力,確保電動機(jī)的平穩(wěn)運行。

**3. 電池管理系統(tǒng)**  
在電池管理系統(tǒng)中,NCE60P50K-VB可用于充電和放電開關(guān),支持高電流切換并確保系統(tǒng)的高效能和安全性。

**4. 消費電子產(chǎn)品**  
該器件可用于消費電子產(chǎn)品中的電源切換和控制電路,幫助提升設(shè)備的能效和續(xù)航能力,特別適合手機(jī)、平板和筆記本電腦。

**5. LED驅(qū)動電路**  
由于其低導(dǎo)通損耗,該MOSFET也適用于LED驅(qū)動應(yīng)用,保證照明設(shè)備在高效能下運行,延長產(chǎn)品的使用壽命。

NCE60P50K-VB憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,是現(xiàn)代電子設(shè)計中一個非常重要的組成部分。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    726瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    601瀏覽量
资兴市| 康平县| 长治市| 武宣县| 邻水| 余江县| 东海县| 图们市| 文化| 渭南市| 彭水| 武安市| 育儿| 中阳县| 溧水县| 永福县| 蒙阴县| 临江市| 凤山市| 驻马店市| 蕉岭县| 招远市| 厦门市| 四子王旗| 霞浦县| 赤城县| 潮安县| 民勤县| 肇东市| 正安县| 屯留县| 正镶白旗| 确山县| 阳新县| 城口县| 尖扎县| 南江县| 嫩江县| 南华县| 四会市| 邯郸县|