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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NP15P06SLG-E1-AY-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NP15P06SLG-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NP15P06SLG-E1-AY-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NP15P06SLG-E1-AY-VB 是一款高性能的單管 P 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,專(zhuān)為低電壓、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該 MOSFET 具有較低的 RDS(ON) 值,使其在高負(fù)載條件下能有效降低導(dǎo)通損耗,適用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制等應(yīng)用場(chǎng)景。其工作電壓范圍為 -60V,支持最大 30A 的漏極電流,適合各類(lèi)負(fù)載驅(qū)動(dòng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:NP15P06SLG-E1-AY-VB  
- **封裝類(lèi)型**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)?P 通道  
- **VDS(漏極到源極電壓)**:-60V  
- **VGS(柵極到源極電壓)**:±20V  
- **Vth(閾值電壓)**:-1.7V  
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:  
 - 72 mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 61 mΩ @ VGS = 10V  
- **ID(漏極電流)**:-30A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

NP15P06SLG-E1-AY-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **開(kāi)關(guān)電源**:在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻特性能夠有效降低能量損耗,從而提高整體能效。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,用于電源管理和電壓調(diào)節(jié),能夠確保高效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出。

3. **電機(jī)控制**:該器件可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,尤其是在電動(dòng)工具、家用電器和電動(dòng)汽車(chē)中,其高電流承載能力使得其能夠滿(mǎn)足電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行的需求。

4. **LED 驅(qū)動(dòng)**:在 LED 照明和背光模塊中,用于驅(qū)動(dòng)大電流的 LED,確保高效、穩(wěn)定的光輸出。

5. **電池管理系統(tǒng)**:適用于電池充放電管理,通過(guò)高效開(kāi)關(guān)控制,提升系統(tǒng)整體性能和安全性。

通過(guò)這些應(yīng)用示例,NP15P06SLG-E1-AY-VB 能夠在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用,尤其是在需要高效電源管理的場(chǎng)合。

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