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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTD80N02-001-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NTD80N02-001-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD80N02-001-VB 產(chǎn)品簡介

NTD80N02-001-VB 是一款高性能的單N通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻使其在多種開關(guān)和電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。NTD80N02-001-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),能夠在多種負(fù)載條件下提供穩(wěn)定的性能,是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: NTD80N02-001-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: NTD80N02-001-VB 的低導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動交通工具**: 該 MOSFET 在電動汽車和電動摩托車中可處理高電流需求,確保快速響應(yīng)和高可靠性,非常適合高功率應(yīng)用。

3. **工業(yè)自動化**: NTD80N02-001-VB 在自動化控制系統(tǒng)中非常有效,適用于驅(qū)動負(fù)載和電源管理,提供卓越的性能和穩(wěn)定性。

4. **消費電子產(chǎn)品**: 此 MOSFET 適合用于電視、音響系統(tǒng)和計算機(jī)電源等設(shè)備,有效管理功率,提高設(shè)備效率,延長使用壽命。

5. **LED驅(qū)動器**: 在 LED 照明解決方案中,NTD80N02-001-VB 可以作為高效的開關(guān)元件,支持調(diào)光和節(jié)能功能,提升整體照明體驗。

希望這些信息能幫助您更好地了解 NTD80N02-001-VB 的性能和應(yīng)用!

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