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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTDV5805NT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NTDV5805NT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTDV5805NT4G-VB 產(chǎn)品簡介

NTDV5805NT4G-VB 是一款高效能的單N通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和較低的導(dǎo)通電阻使其在電源管理及開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。借助先進(jìn)的 Trench 技術(shù),NTDV5805NT4G-VB 能在多種工作條件下提供穩(wěn)定和高效的性能,成為現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: NTDV5805NT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: NTDV5805NT4G-VB 的低導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)越,有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率,適合高電壓環(huán)境。

2. **電動交通工具**: 在電動汽車和電動摩托車應(yīng)用中,該 MOSFET 可處理高電流需求,確??焖夙憫?yīng)和高可靠性,適合高功率負(fù)載。

3. **工業(yè)自動化**: NTDV5805NT4G-VB 適用于自動化控制系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備,有效驅(qū)動負(fù)載和進(jìn)行電源管理,提供穩(wěn)定的性能。

4. **消費電子產(chǎn)品**: 此 MOSFET 在電視、音響系統(tǒng)和計算機(jī)電源等設(shè)備中廣泛應(yīng)用,能高效管理功率,提升設(shè)備的效率和使用壽命。

5. **LED驅(qū)動器**: 在 LED 照明解決方案中,NTDV5805NT4G-VB 作為高效開關(guān)元件,支持調(diào)光和節(jié)能功能,優(yōu)化整體照明體驗。

希望這些信息能夠幫助您更好地理解 NTDV5805NT4G-VB 的性能和應(yīng)用!

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