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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NVD4809NT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NVD4809NT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NVD4809NT4G-VB 產(chǎn)品簡介

NVD4809NT4G-VB是一款高性能的單極性N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中高電流和低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏極源極電壓(VDS)為30V,適合于電源管理和開關(guān)應(yīng)用。其閾值電壓(Vth)為1.7V,確保在不同驅(qū)動(dòng)條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。導(dǎo)通電阻在4.5V和10V的柵極電壓下分別為9mΩ和7mΩ,優(yōu)化了開關(guān)性能,降低了能量損耗。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: NVD4809NT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏極源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵極源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 9mΩ(VGS=4.5V)
 - 7mΩ(VGS=10V)
- **最大漏極電流(ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**: NVD4809NT4G-VB被廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,能夠有效地進(jìn)行電能轉(zhuǎn)換和分配,適合用于電源適配器和充電器。

2. **電動(dòng)工具**: 在電動(dòng)工具及電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,此MOSFET可作為開關(guān)元件,提供穩(wěn)定的電流控制,提升電機(jī)效率,減少能量損耗。

3. **LED照明**: 該器件的低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于LED驅(qū)動(dòng)電路,能夠有效控制LED的電流,提高亮度并延長使用壽命。

4. **汽車電子**: NVD4809NT4G-VB可用于汽車電子系統(tǒng)中的電池管理和動(dòng)力分配,提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 此MOSFET在智能家居設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中同樣表現(xiàn)出色,為設(shè)計(jì)者提供高效能和緊湊設(shè)計(jì)的解決方案,滿足現(xiàn)代產(chǎn)品的需求。

憑借其卓越性能,NVD4809NT4G-VB在多個(gè)領(lǐng)域中展現(xiàn)出其重要性,為各種電子應(yīng)用提供了可靠的支持。

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