一、產(chǎn)品綜述
Simcenter T3Ster SI熱瞬態(tài)測(cè)試儀，是半導(dǎo)體熱特性熱測(cè)試儀器。它通過(guò)非破壞性地測(cè)試封裝好的半導(dǎo)體器件的電壓隨著時(shí)間的瞬態(tài)變化，快速地獲得準(zhǔn)確的，重復(fù)性高的結(jié)溫?zé)嶙钄?shù)據(jù)以及結(jié)構(gòu)內(nèi)部信息。Simcenter T3STER SI支持對(duì)器件進(jìn)行在線測(cè)試，結(jié)殼熱阻測(cè)試等。測(cè)試結(jié)果可以生成熱阻熱容模型供熱仿真軟件使用，同時(shí)也可以用于校準(zhǔn)詳細(xì)的仿真模型。
Simcenter T3STER SI的測(cè)試方法滿足國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)：JEDEC JESD51-1，JEDEC JESD51-14，美軍標(biāo)MIL 883H，MIL 750E以及國(guó)際電工委員會(huì)的ICE60747系列。
Simcenter T3STER SI的研發(fā)部門MicReD聯(lián)合英飛凌共同制定了***的結(jié)殼熱阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JESD 51-14: Transient Dual Interface Test Method。T3STER SI的測(cè)試方法完全符合標(biāo)準(zhǔn)要求，支持通過(guò)兩種方法來(lái)計(jì)算結(jié)殼熱阻。
Simcenter T3STER SI的研發(fā)部門MicReD制定了***個(gè)使用電學(xué)法測(cè)試LED器件真實(shí)熱阻的***JESD51-51，以及規(guī)范LED器件光熱一體化測(cè)試的JESD51-52。
Simcenter T3STER SI既能進(jìn)行穩(wěn)態(tài)結(jié)溫、熱阻測(cè)試，也能進(jìn)行熱瞬態(tài)測(cè)試。在采集瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線（冷卻曲線）時(shí)，采樣時(shí)間間隔最快可達(dá)1微秒。
Simcenter T3STER SI***的結(jié)構(gòu)函數(shù)(structure function)可以圖形化地展示熱流傳導(dǎo)路徑上每層結(jié)構(gòu)的熱阻和熱容信息，非破壞性地檢測(cè)封裝結(jié)構(gòu)的改變，因而被廣泛地應(yīng)用于產(chǎn)品封裝的新材料或新工藝的對(duì)比、產(chǎn)品可靠性研究、產(chǎn)品質(zhì)量評(píng)估以及接觸熱阻等各個(gè)領(lǐng)域。
Simcenter T3STER SI可以與Simcenter Flotherm Flexx和Simcenter FLOEFD等仿真軟件高度配合，建立準(zhǔn)確高效的Digital Twin，包括為仿真軟件輸出RC網(wǎng)絡(luò)模型，校準(zhǔn)仿真模型等。從而提高仿真準(zhǔn)確度，提升仿真設(shè)計(jì)速度。
Simcenter T3SterSI具有完全重新設(shè)計(jì)的系統(tǒng)硬件架構(gòu)和控制軟件。
● 可用性的優(yōu)化
● 相對(duì)簡(jiǎn)單的集成
● 靈活的配置以及相對(duì)較高的測(cè)量/生產(chǎn)效率
二、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
三、應(yīng)用概述
應(yīng)用對(duì)象● 各種三極管、二極管等半導(dǎo)體分立器件，包括：常見(jiàn)的半導(dǎo)體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件；● 各種復(fù)雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結(jié)構(gòu)；● 各種復(fù)雜的散熱模組的熱特性測(cè)試，如熱管、風(fēng)扇等；
Simcenter T3STER SI可測(cè)試的器件針對(duì)不同的器件，需要選擇合適的TSP● 二極管：選擇正向壓降VF作為TSP，所有器件都可以當(dāng)成二極管測(cè)試；● 三極管：BJT：Vbe● MOSFET（包括SiC MOSFET）：Vsd● IGBT（包括分立器件和功率模塊）：Vce● GaAs FET和GaN HEMT：Vgs，柵極電流或Vce● 熱測(cè)試芯片：內(nèi)置了加熱電阻和溫敏二極管；在加熱電阻上施加功率，測(cè)試二極管● 數(shù)字IC：襯底二極管，VCC和GND反向偏置，施加加熱功率并測(cè)試。
產(chǎn)品設(shè)計(jì)和研發(fā)階段1）通過(guò)測(cè)試+仿真的數(shù)字孿生，從源頭上***設(shè)計(jì)模型的準(zhǔn)確性，節(jié)約設(shè)計(jì)成本，減少返工的幾率；2）測(cè)試原型器件的熱學(xué)結(jié)構(gòu)信息，發(fā)現(xiàn)隱藏的設(shè)計(jì)缺陷，及時(shí)改進(jìn)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)；3）通過(guò)結(jié)構(gòu)函數(shù)強(qiáng)大的結(jié)構(gòu)對(duì)比功能，在***產(chǎn)品性能的前提下，選擇性價(jià)比更高的材料和工藝；4）提供基于測(cè)試結(jié)果的仿真模型供下游客戶使用，增強(qiáng)產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力；● 產(chǎn)品制造階段：發(fā)現(xiàn)隱藏的缺陷，降低后期維保的成本；● 質(zhì)量評(píng)估階段：對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全方位的熱學(xué)表征，及時(shí)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品的質(zhì)量缺陷。
四、T3ster SI***的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
***的靜態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法
T3Ster SI的測(cè)試技術(shù)與傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)測(cè)試法(dynamic mode)不同，采用的是***的靜態(tài)測(cè)試法(static mode)，可以實(shí)時(shí)地采集待測(cè)器件的結(jié)溫隨著時(shí)間的變化。而動(dòng)態(tài)測(cè)試法是通過(guò)人為構(gòu)建脈沖加熱功率來(lái)模擬瞬態(tài)過(guò)程，并非器件實(shí)際的瞬態(tài)溫度響應(yīng)。靜態(tài)法的測(cè)試時(shí)間短、測(cè)試數(shù)據(jù)點(diǎn)密而且測(cè)試數(shù)據(jù)的信噪比更高。
測(cè)試啟動(dòng)時(shí)間高達(dá)1us，***測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性
研究表明，在測(cè)試中如果瞬態(tài)變化最初1ms時(shí)間內(nèi)的溫度沒(méi)有被采集到，最終的熱阻值將被低估10%-15%左右。
實(shí)時(shí)采樣時(shí)間間隔高達(dá)1us，采樣點(diǎn)數(shù)最多65000點(diǎn)，***數(shù)據(jù)完備性
T3ster SI有4個(gè)瞬態(tài)測(cè)量通道，具有1Msample/s采樣率，18bit分辨率，即高達(dá)0.002℃的分辨率，并具有0.025℃的RMS噪聲。可以理解為其擁有更好的分辨率、***的噪音、更好的信噪比。T3ster的結(jié)溫分辨率是0.01℃，16bit分辨率。
