Qorvo 的 TGF2929-HM 是一款 100 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為直流至 3.5 GHz。它提供 17.4 dB 的線性增益并需要 28 V DC 電源。該器件是基于 Qorvo 驗證的 QGaN25HV 工藝開發(fā)的，該工藝采用先進的場板技術(shù)，可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。這種優(yōu)化通過更少的放大器陣容和更低的熱管理成本來降低系統(tǒng)成本。這種 GaN on SiC HEMT 采用密封法蘭封裝。它可用于廣泛的應(yīng)用，包括空間雷達、衛(wèi)星通信、軍用雷達和民用雷達、干擾器、測試儀器和無線電通信。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號                TGF2929-HM

制造商                科爾沃

描述                   100 瓦 GaN on SiC HEMT，從直流到 3.5 GHz

一般參數(shù)

晶體管類型         HEMT

技術(shù)                   碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應(yīng)用行業(yè)            無線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達、航空航天與國防、測試與測量

應(yīng)用                  軍事、通信、干擾器、測試儀器

連續(xù)波/脈沖      脈沖，連續(xù)波

頻率                 直流至 3.5 GHz

力量                 50分貝

功率(W)           100 瓦

飽和功率          51.2 分貝

脈沖寬度         100 我們

占空比            0.2

獲得               17.4分貝

電源電壓        12 至 60 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.8 伏

靜態(tài)漏極電流   260毫安

包裝類型         法蘭

RoHS            是的

年級              空間合格

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