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ADRF5019 是一款采用硅工藝制造的非反射式單刀雙擲 (SPDT) RF 開(kāi)關(guān)。
ADRF5019 的工作頻率范圍為 100 MHz 至 13 GHz，在 8 GHz 時(shí)具有優(yōu)于 0.8 dB 的插入損耗和 45 dB 隔離。ADRF5019 采用非反射設(shè)計(jì)，其 RF 端口在內(nèi)部終接至 50 Ω。
ADRF5019 開(kāi)關(guān)需要 +3.3 V 和 ?2.5 V 的雙電源電壓，以及正控制電壓輸入。此開(kāi)關(guān)采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容型和低電壓晶體管-晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容型控制。
ADRF5019 還可使用單個(gè)正電源電壓 (VDD) 工作。負(fù)電源電壓 (VSS) 連接至地。即使在單電源工作模式下，ADRF5019 也能覆蓋 100 MHz 至 13 GHz 的工作頻率范圍，并保持良好的功率處理性能。更多詳細(xì)信息請(qǐng)參見(jiàn)“Applications Information”部分。
ADRF5019 的引腳與 HMC1118 兼容，后者是低截止頻率版本，可在 9 kHz 至 13.0 GHz 的頻率范圍內(nèi)工作。
ADRF5019 采用 16 引腳引線框架芯片規(guī)模封裝 (LFCSP)，可在 ?40°C 至 +105°C 的溫度范圍內(nèi)工作。
應(yīng)用
- 測(cè)試儀表
- 微波無(wú)線電和甚小孔徑終端 (VSAT)
- 軍用無(wú)線電、雷達(dá)和電子對(duì)抗措施 (ECM)
- 光纖和寬帶電信
- 非反射 50 Ω 設(shè)計(jì)
- 低插入損耗：8 GHz 時(shí)為 0.8 dB
- 高隔離：8 GHz 時(shí)為 45 dB
- 高輸入線性度
- P1dB：39 dBm
- IP3：60 dBm（典型值）
- 高功率處理能力
- 35 dBm 插入損耗路徑
- 27 dBm 熱切換
- ESD 額定值：2 kV（2 級(jí)）HBM
- 無(wú)低頻雜散信號(hào)
- 0.05 dB 射頻建立時(shí)間：375 ns
- 0.1 dB 射頻建立時(shí)間：300 ns
- 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP
- 引腳與 HMC1118 兼容，低頻截止版本
ADRF5020
ADRF5021
ADRF5040
ADRF5130
HMC986A
HMC244A
HMC252A
HMC270A
HMC322ALP4E
HMC344A
HMC574A
HMC7992
HMC1118
HMC8038
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