采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、17.1mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 17.1 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 29 |
| QG typ (nC) | 6 |
| QGD typ (nC) | 2.1 |
| QGS typ (nC) | 0.7 |
| Package (mm) | WLP 1.0x1.0 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (V) | 1 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 1.6 |
| ID - package limited (A) | 1.6 |
| Logic level | Yes |
- 超低導通電阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 1mm x 1mm 小尺寸封裝
- 低高度（高度為 0.62mm）
- 無鉛
- 符合 RoHS 環(huán)保標準
- 無鹵素
應用范圍
- 電池管理
- 負載開關(guān)
- 電池保護
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這款 14.6mΩ、12V N 通道器件設(shè)計用于在超薄且具有出色散熱特性的 1mm × 1mm 小外形封裝內(nèi)提供最低的導通電阻和柵極電荷。
