MADZ-011002
太赫茲肖特基勢(shì)壘二極管 W 波段
MADZ-011002單結(jié)、MADZ-011003反并聯(lián)對(duì)、MADZ-011004反三通和MADZ-011005未聯(lián)反并聯(lián)對(duì)均為砷化鎵倒裝芯片太赫茲肖特基勢(shì)壘二極管。
這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。二極管用氮化硅完全鈍化，并有一層額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。
保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過(guò)程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。
這些二極管的高截止頻率允許使用 G 和 W 波段頻率。典型應(yīng)用包括無(wú)線電收發(fā)器和汽車?yán)走_(dá)中的單平衡和雙平衡混頻器。
太赫茲肖特基勢(shì)壘二極管 W 波段
MADZ-011002單結(jié)、MADZ-011003反并聯(lián)對(duì)、MADZ-011004反三通和MADZ-011005未聯(lián)反并聯(lián)對(duì)均為砷化鎵倒裝芯片太赫茲肖特基勢(shì)壘二極管。
這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。二極管用氮化硅完全鈍化，并有一層額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。
保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過(guò)程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。
這些二極管的高截止頻率允許使用 G 和 W 波段頻率。典型應(yīng)用包括無(wú)線電收發(fā)器和汽車?yán)走_(dá)中的單平衡和雙平衡混頻器。
特征
- 低串聯(lián)電阻
- 低電容
- 高截止頻率
- 氮化硅鈍化
- 聚酰亞胺劃痕保護(hù)
- 專為輕松插入電路而設(shè)計(jì)
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MADZ-011002
描述
太赫茲肖特基勢(shì)壘二極管 W 波段
截止頻率(太赫茲)
1.00
總電容(fF)
49
電阻(Ω)
3.5
配置
單身的
包裹
死
