MA4E1310
GaAs倒裝芯片單
MACOM 的 MA4E1310 是一款砷化鎵倒裝芯片肖特基勢(shì)壘二極管。該二極管是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。該器件已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過(guò)程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。該二極管的高截止頻率允許通過(guò)毫米波頻率使用。典型應(yīng)用包括 PCN 收發(fā)器和無(wú)線電中的單平衡和雙平衡混頻器、警用雷達(dá)檢測(cè)器、汽車?yán)走_(dá)檢測(cè)器等。該器件可在 110 GHz 以下使用。
GaAs倒裝芯片單
MACOM 的 MA4E1310 是一款砷化鎵倒裝芯片肖特基勢(shì)壘二極管。該二極管是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。該器件已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過(guò)程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。該二極管的高截止頻率允許通過(guò)毫米波頻率使用。典型應(yīng)用包括 PCN 收發(fā)器和無(wú)線電中的單平衡和雙平衡混頻器、警用雷達(dá)檢測(cè)器、汽車?yán)走_(dá)檢測(cè)器等。該器件可在 110 GHz 以下使用。
特征
- 低串聯(lián)電阻
- 聚酰亞胺劃痕保護(hù)
- 氮化硅鈍化
- 高截止頻率
- 低電容
- 專為輕松插入電路而設(shè)計(jì)
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MA4E1310
描述
GaAs倒裝芯片單
Vf(V)
0.8000
Vb
7.00
總電容(pF)
0.040
動(dòng)態(tài)電阻（歐姆）
7.0
結(jié)電容(pF)
0.010
包裹類別
表面貼裝模具
包裹
ODS-1278
