MA4E2532M-1113
醫(yī)學。Barrier Si Ring Quad
MA4E2532-1113 系列 SURMOUNTTM 中低勢壘硅肖特基環(huán)形四極二極管采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質中的導體構成，玻璃電介質充當?shù)蜕?、低損耗的微帶傳輸介質。硅和玻璃的結合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應與芯片的卓越機械性能相結合的電路的絕佳選擇。Surmount 結構采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設備是可靠的、可重復的，并且是比傳統(tǒng)設備成本更低的解決方案。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩(wěn)定烘烤?！?505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。
醫(yī)學。Barrier Si Ring Quad
MA4E2532-1113 系列 SURMOUNTTM 中低勢壘硅肖特基環(huán)形四極二極管采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質中的導體構成，玻璃電介質充當?shù)蜕ⅰ⒌蛽p耗的微帶傳輸介質。硅和玻璃的結合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應與芯片的卓越機械性能相結合的電路的絕佳選擇。Surmount 結構采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設備是可靠的、可重復的，并且是比傳統(tǒng)設備成本更低的解決方案。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩(wěn)定烘烤?！?505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩(wěn)定烘烤?！?505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩(wěn)定烘烤?！?505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。
特征
- 極低的寄生電容和電感
- 降低對 ESD 損壞的敏感性
- 具有擴散屏障的可靠多層金屬化，100% 穩(wěn)定烘烤（300°C，16 小時）
- 具有聚酰亞胺防刮擦保護的堅固 HMIC 結構
- 可在微波電路中進行表面貼裝，無需引線鍵合
產品規(guī)格
零件號
MA4E2532M-1113
描述
醫(yī)學。Barrier Si Ring Quad
Vf(V)
0.4700
Vb
5.00
總電容(pF)
0.160
動態(tài)電阻（歐姆）
10.0
結電容(pF)
0.160
包裹類別
表面貼裝模具
包裹
ODS-1113
