HMC-C583是一款0.1 GHz至40 GHz、砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、IC單刀單擲(SPST)開(kāi)關(guān)，封裝在小型密封模塊中。 該寬帶開(kāi)關(guān)具有7 dB的典型插入損耗、50 dB的典型隔離和40 dBm的輸入IP3。
開(kāi)關(guān)導(dǎo)通/斷開(kāi)時(shí)間為10 ns（典型值）。 單控制電壓輸入在0 V和5 V之間切換，用于選擇開(kāi)關(guān)狀態(tài)。 可移除的K型連接器可以拆卸，以便將模塊的輸入/輸出引腳直接連接到微帶或共面電路。
應(yīng)用
- 基站基礎(chǔ)設(shè)施
- 光纖和寬帶電信
- 微波無(wú)線電和VSAT
- 軍用無(wú)線電、雷達(dá)和電子對(duì)抗(ECM)
- 測(cè)試儀器儀表
- 典型插入損耗：7 dB
- 單正控制線
- 典型隔離：50 dB
- 輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： 40 dBm
- CMOS兼容控制
- 非反射拓?fù)?/li>
- 密封模塊
- 可現(xiàn)場(chǎng)更換的K型連接器
- 工作溫度： -55℃至+85℃
HMC-C073
HMC-C200
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