Qorvo 的 UF3C120150B7S 1200 V、150 mohm SiC FET 器件基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設(shè)計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)電感負載以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。
主要特征
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：150 mohm（典型值）
- 最高工作溫度：175 °C
- 出色的反向恢復(fù)：Qrr = 67 nC
- 低體二極管 VFSD：1.46 V
- 低柵極電荷：QG = 25.7 nC
- 閾值電壓 VG(th)：4.4 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅(qū)動
VDS 最大值(V) | 1,200 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 150 |
內(nèi)徑最大值(A) | 17 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽車資質(zhì) | 不 |
包裝類型 | D2PAK-7L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
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UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
UF3C065080T3S
UF3C120040K3S
UF3C120040K4S
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
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UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
UF3C120400B7S
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UF3C170400B7S
UF3C170400K3S
UF3SC065007K4S
UF3SC065030B7S
UF3SC065040B7S
UF3SC120009K4S
UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
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UF4C120053K4S
UF4C120070K3S
UF4C120070K4S
UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S
UJ3C065030B3
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UJ3C065080B3
