產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTN2020F 先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計(jì)已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合空間非常寶貴的應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
類別 低飽和晶體管
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 標(biāo)準(zhǔn)
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 4
ICM (A) 12
PD (W) 1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 35
hFE (@ IC2) (A) 4
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 105
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 30
主要特征
更高的功耗SOT23封裝
高峰值電流
低飽和電壓
160V正向阻斷電壓
相關(guān)型號(hào)
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