SRDA3.3-4低電容TVS陣列將浪涌額定、低電容轉(zhuǎn)向二極管與TVS二極管組合在一個(gè)單一封裝中。在瞬態(tài)狀態(tài)下，二極管通過內(nèi)部低壓TVS將瞬態(tài)電流直接對地。此外，TVS二極管將瞬態(tài)電壓箝位到安全水平。低電容陣列配置可以保護(hù)多達(dá)四行數(shù)據(jù)。

SRDA3.3-4采用的EPD工藝技術(shù)設(shè)計(jì)。該工藝提供了較低的落差電壓，顯著降低了硅雪崩二極管工藝的漏電流和電容。此外，該器件在3.9 x 4.9mm的8引腳SOIC封裝中提供3.3V的真正工作電壓。SRDA3.3-4數(shù)組提供高過載能力的I(PP) = 25, tp = 8/20μSESD ， 對EFT ，和閃電干擾起到保護(hù)作用。

特性

• 用于高速數(shù)據(jù)線的瞬態(tài)保護(hù)
  • IEC 61000-4-2 (ESD)±15kV(空氣)，±8kV(觸點(diǎn))
  • IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5(閃電)25A(8/20μs) VC小于15V
• 帶內(nèi)部TVS二極管的浪涌額定二極管陣列
• 保護(hù)4條I/O線
• 低電容(< 15 pf)
• 3.3V工作電壓低
• 低電壓鉗位
• 固態(tài)技術(shù)
• 電平SOIC-8包
• 無鉛，無鹵素，符合RoHS要求
• 標(biāo)記代碼
• 卷軸包裝

SRDA12-4 SRDA05-4 SRDA3.3-4

應(yīng)用：

• T1/E1二級IC側(cè)保護(hù)
• T3/E3二次IC側(cè)保護(hù)
• 模擬視頻保護(hù)
• 單片機(jī)輸入保護(hù)
• 基站
• 總線保護(hù)