1700 V、45 mΩ、75 A、TO-247-3 封裝、第 2 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現(xiàn)更小、更高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比，Wolfspeed 碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度、更高的開關(guān)頻率、更小的設(shè)計、更涼爽的組件、減小電感器、電容器、濾波器和放大器、變壓器等組件的尺寸，并提高總體成本效益。
特征
- 高阻斷電壓和低 RDS(on)
- 低電容高速開關(guān)
- 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
- 易于并聯(lián)且驅(qū)動簡單
- 低寄生電感
- 漏極和源極之間的爬電距離和間隙距離較寬
好處
- 更高的系統(tǒng)效率
- 降低冷卻要求
- 增加功率密度
- 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
- 獨立的開爾文源極引腳可降低源極電感，并將開關(guān)損耗降低高達(dá) 30%
- 優(yōu)化的封裝具有較寬的爬電距離和漏極與源極之間的間隙距離 (~8mm)，提供適合高污染環(huán)境的額外電氣隔離
應(yīng)用領(lǐng)域
- 輔助電源
- 開關(guān)模式電源
- 電源逆變器
- 1500V太陽能逆變器
- 高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 電機(jī)驅(qū)動
- 脈沖功率應(yīng)用
