CHA3666 -FAB是一款兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路采用標準 pHEMT 工藝制造：0.25μm 柵極長度、穿過基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻。
它采用無引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。整體供電電壓為4V/80mA。
該電路專用于空間應用，也非常適合各種微波和毫米波應用和系統(tǒng)。
放大器 – LNA
| 參考 | 射頻帶寬 (GHz) | 增益 （分貝） | 增益平坦度 (+/-dB) | 噪聲系數(shù) （分貝） | P-1dB 輸出 (dBm) | 偏置 （毫安） | 偏差 (V) | 案件 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 分鐘 | 最大限度 | ||||||||
| CHA3666-FAB | 6 | 16 | 21 | 1 | 1.8 | 17 號 | 80 | 4 | 密封SMD |
CHA3801-FAB
CHA3801-QDG
CHA3801-99F
CHA3024-FDB
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA3218-99F
CHA3656-FAB
CHA3666-QAG
CHA3656-QAG
CHA3666-99F
CHA3666-FAB
CHA2063a99F
CHA2110-QDG
CHA2110-98F
CHA1010-99F
CHA2066-QAG
CHA2066-99F
CHA3689-99F
CHA3688aQDG
CHA2266-99F
CHA2069-99F
CHA2069-FAB
CHA2090-99F
CHA2069-QDG
CHA2193-99F
