日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

C3028LD-VB-SOP8封裝 N+P溝道MOSFET

型號(hào): C3028LD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻道類型 N+P溝道
  • 額定電壓 ±30V
  • 額定電流 9A / 6A
  • RDS(ON) 15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ
  • 門(mén)源電壓范圍 ±20V
  • 門(mén)源閾值電壓 ±1.65V
  • 封裝類型 SOP8

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào) C3028LD絲印 VBA5325品牌 VBsemi參數(shù)  頻道類型 N+P溝道 額定電壓 ±30V 額定電流 9A / 6A RDS(ON) 15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ / 50mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓范圍 ±20V 門(mén)源閾值電壓 ±1.65V 封裝類型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 C3028LD(絲印 VBA5325)是VBsemi公司生產(chǎn)的一款具有N+P溝道的MOSFET。以下是詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 C3028LD具有N+P溝道的MOSFET,可用于需要同時(shí)使用N溝道和P溝道的電路。主要參數(shù)包括額定電壓為±30V,額定電流為9A(N溝道) / 6A(P溝道),RDS(ON)為15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ / 50mΩ @ 4.5V,門(mén)源電壓范圍為±20V,門(mén)源閾值電壓為±1.65V,封裝類型為SOP8。應(yīng)用領(lǐng)域 C3028LD(VBA5325)適用于多種領(lǐng)域和應(yīng)用場(chǎng)景,主要用于需要N+P溝道的功率MOSFET的電路。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 電源管理模塊 C3028LD可用于電源管理模塊中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出,改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 汽車電子系統(tǒng) 它適用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和照明控制等方面,滿足對(duì)高電流和高功率的要求。3. 工業(yè)控制系統(tǒng) C3028LD可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電路,提供可靠的電流控制與電能轉(zhuǎn)換。綜上所述,C3028LD(VBA5325)是一款具有N+P溝道的MOSFET,適用于電源管理模塊、汽車電子系統(tǒng)和工業(yè)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域模塊。它具有高電壓承載能力和低導(dǎo)通電阻,適用于需要高功率和高效能的電路。
 

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    730瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    607瀏覽量
泸定县| 禄丰县| 饶河县| 乐安县| 黄大仙区| 桂阳县| 遂溪县| 阜城县| 阿拉善左旗| 玉环县| 富锦市| 文安县| 同心县| 凯里市| 宜昌市| 偃师市| 郴州市| 遵化市| 阿荣旗| 荃湾区| 绍兴县| 湟源县| 盘山县| 临高县| 定安县| 镇沅| 高唐县| 成安县| 徐汇区| 青州市| 汕尾市| 临西县| 富阳市| 贞丰县| 南川市| 临澧县| 渭源县| 察隅县| 工布江达县| 三门县| 高雄市|