SIR422DPT1GE詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 極性 N溝道 額定電壓 40V 額定電流 75A 導(dǎo)通電阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1.9Vth (V) 封裝類型 DFN8 (5X6)應(yīng)用簡(jiǎn)介 SIR422DPT1GE3是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。具有較高的額定電壓和額定電流特性，能夠提供可靠且高效的電流開(kāi)關(guān)功能。通過(guò)控制20Vgs (±V)的門源電壓，可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和截止，實(shí)現(xiàn)電流的控制和開(kāi)關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。其較低的導(dǎo)通電阻可以降低功耗，并提高系統(tǒng)的效率。SIR422DPT1GE3采用DFN8 (5X6)封裝，適用于各種電路板和模塊中使用。該器件廣泛應(yīng)用于電源開(kāi)關(guān)、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。由于其較高的額定電壓和額定電流特性，SIR422DPT1GE3特別適用于需要高功率和高電流傳輸?shù)膽?yīng)用領(lǐng)域。在這些領(lǐng)域中，它能夠提供可靠的功率開(kāi)關(guān)控制和電流傳輸。總之，SIR422DPT1GE3是一款N溝道MOSFET，適用于電源管理和功率放大器等應(yīng)用模塊。特別適用于需要高功率和高電流傳輸?shù)念I(lǐng)域，如電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 極性 N溝道
- 額定電壓 40V
- 額定電流 75A
- 導(dǎo)通電阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 1.9Vth (V)
- 封裝類型 DFN8 (5X6)
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào)：P3004BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào)：P3003BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-P-Channel VDS：-30V VGS：20（±V） Vth：-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào)：P2NK90Z-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：900V VGS：30（±V） Vth：3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào)：P2904BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào)：P2804EDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào)：P2804BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào)：P2703BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：30V VGS：20（±V） Vth：1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào)：P2610BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào)：P2610ADG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào)：P2504BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域，供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu)，同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件，不再是簡(jiǎn)單的備選方案，而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí)，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBM1201M脫穎而出，它 -
VBE2610N：重塑P溝道功率方案，以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天，為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案，已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代，而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛