型號(hào) SI2323DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 SI2323DST1GE3 是一款 P 溝道 MOSFET，適用于負(fù)電壓控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。其最大耐壓為30V，最大電流為5.6A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個(gè)領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負(fù)責(zé)電源開(kāi)關(guān)和負(fù)載開(kāi)關(guān)控制的電源管理模塊。2. 轉(zhuǎn)換器模塊 可用于負(fù)責(zé)負(fù)電壓轉(zhuǎn)換和逆變的轉(zhuǎn)換器模塊。3. 便攜式設(shè)備 適用于便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源控制?？傊琒I2323DST1GE3 適用于負(fù)電壓控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要用于電源管理、轉(zhuǎn)換器模塊和便攜式設(shè)備等領(lǐng)域。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 30V
- 最大電流 5.6A
- 導(dǎo)通電阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V
- 門(mén)源電壓 20Vgs (±V)
- 門(mén)閾電壓 1Vth
- 封裝 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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VBE2610N：重塑P溝道功率方案，以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
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