DTU40P06-VB一種P溝道TO252封裝MOS管

MOSFET MOS管 VBsemi

型號(hào)： DTU40P06-VB

品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

溝道 P溝道
封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

DTU40P06-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DTU40P06 (VBE2658)參數(shù)說(shuō)明：P溝道，-60V，-22A，導(dǎo)通電阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-1.5V，封裝：TO252。

應(yīng)用簡(jiǎn)介：DTU40P06適用于功率開關(guān)和逆變器等應(yīng)用的P溝道MOSFET。
其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于電源開關(guān)、逆變器和功率放大器等領(lǐng)域模塊，特別適合高功率要求的場(chǎng)景。

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在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天，為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案，已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代，而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛

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