NT2955G-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

MOSFET MOS管 VBsemi

型號(hào)： NT2955G-VB

品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

溝道 P溝道
封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

NT2955G-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NT2955G (VBE2610N)參數(shù)說(shuō)明：P溝道，-60V，-38A，導(dǎo)通電阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1.3V，封裝：TO252。

應(yīng)用簡(jiǎn)介：NT2955G適用于功率開關(guān)和逆變器等高功率應(yīng)用的P溝道MOSFET。
其能夠處理較大的電流和電壓，適用于高功率需求的場(chǎng)景。
優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：具有較大的電流和電壓承載能力，適用于高功率應(yīng)用，如電源開關(guān)、逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等模塊。

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微碧半導(dǎo)體VBsemi

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