SGK1314-30A Ku帶內(nèi)部匹配 GaN HEMT

GaN HEMT

型號： SGK1314-30A

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGK1314-30A
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IBK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SGK1314-30A是一種高功率GaN HEMT與標準通信頻帶匹配，以提供最佳50歐姆系統(tǒng)中的功率和增益。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGK1314-30A
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IBK

型號參數(shù)
高輸出功率：Pout=45.0dBm（典型）
高增益：GL=8.5dB（典型值）
高P.A.E.：PAE=32%（典型值）
寬帶：13.75至14.5GHz
密封包裝

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