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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD60R3K3C6-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): IPD60R3K3C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):IPD60R3K3C6-VB
絲?。篤BE165R04
品牌:VBsemi
參數(shù):
- N溝道
- 最大耐壓:650V
- 最大電流:4A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻:2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓:3.5V
- 封裝:TO252

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
IPD60R3K3C6-VB是一款N溝道MOSFET,最大耐壓為650V,最大電流為4A。其靜態(tài)導(dǎo)通電阻在不同電壓下表現(xiàn)如下:在10V下為2200mΩ,在4.5V下為2750mΩ,驅(qū)動(dòng)電壓范圍為±20V。閾值電壓為3.5V。該器件采用TO252封裝,有著適中的尺寸和散熱性能。

**應(yīng)用簡介:**
IPD60R3K3C6-VB適用于多種領(lǐng)域的模塊,包括但不限于:
1. **電源開關(guān)模塊**:由于其較高的耐壓和適中的電流能力,它可用于電源開關(guān)和開關(guān)模式電源供應(yīng)模塊,有助于提高電能轉(zhuǎn)換效率。

2. **逆變器和開關(guān)電源**:在逆變器和開關(guān)電源中,該器件可以實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和控制,適用于太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電器等應(yīng)用。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:可用于電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)模塊,如電動(dòng)汽車、工業(yè)機(jī)械和家用電器中的電機(jī)控制。

4. **電池充放電保護(hù)**:在電池管理系統(tǒng)中,它可以用于電池充放電保護(hù)和電流控制,確保電池的安全性和性能。

總之,IPD60R3K3C6-VB適用于需要高耐壓和適中電流能力的N溝道MOSFET的多種領(lǐng)域,包括電源管理、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理等領(lǐng)域。其性能參數(shù)使其成為許多電子模塊的理想選擇。

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