EGN26C160I2D 高壓大功率GaN HEMT

GaN HEMT 大功率高壓

型號： EGN26C160I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 EGN26C160I2D
名稱用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT EGN26C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及寬帶寬，適用于50V操作的高功率放大器，并提供你的收益更高。此新產(chǎn)品非常適合在2.3GHz至2.7GHz范圍內(nèi)使用LTE設(shè)計(jì)要求，因?yàn)樗峁┝烁咴鲆?、長期可靠性和易于使用。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 EGN26C160I2D
名稱用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：52.5dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
功率增益：16dB（典型值）@f=2.6GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性

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