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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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EGN35C070I2D 高壓 大功率GaN HEMT

型號(hào): EGN35C070I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號(hào) EGN35C070I2D
  • 名稱 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

EGN35C070I2D

型號(hào)簡介
Sumitomo的GaN HEMT EGN35C070I2D 提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及寬帶寬,適用于50V操作的高功率放大器,并提供你的收益更高。此新產(chǎn)品非常適合用于3.5GHz WiMAX設(shè)計(jì)要求,因?yàn)樗峁┝烁咴鲆?、長期可靠性和易用性。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號(hào)                    EGN35C070I2D
名稱                    用于基站的功率GaN>GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號(hào)參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:48.8dBm(典型值)@Psat
高效率:60%(典型值)@Psat
功率增益:15.5dB(典型值)@f=3.5GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性


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