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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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STD30PF03LT4-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款P溝道TO252封裝的晶體管

型號(hào): STD30PF03LT4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): STD30PF03LT4-VB

絲印: VBE2317

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝類型: TO252
- 溝道類型: P-Channel
- 額定電壓: -30V
- 最大電流: -40A
- 開態(tài)電阻: RDS(ON) = 18mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = -1.7V

封裝: TO252

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** TO252,表明該器件使用TO252封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** P-Channel,指示這是一個(gè)P溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** -30V,說(shuō)明器件能夠正常工作的最大電壓。負(fù)值表示該器件是P溝道MOSFET。
4. **最大電流 (Maximum Current):** -40A,表示器件能夠承受的最大電流。負(fù)值表示電流方向是從源極到漏極。
5. **開態(tài)電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 18mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,說(shuō)明在特定的柵源電壓下,開態(tài)時(shí)的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = -1.7V,表示在柵源電壓作用下,器件從關(guān)態(tài)切換到開態(tài)所需的電壓。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
STD30PF03LT4-VB是一款P-Channel MOSFET,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
1. **電源開關(guān):** 由于其P溝道性質(zhì),可用于電源開關(guān)和電源逆變器。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 適用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的高功率驅(qū)動(dòng)電路,提供高效的電流控制。
3. **電源逆變器:** 用于太陽(yáng)能逆變器和其他電源逆變器,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。
4. **電源管理模塊:** 適用于各種電源管理應(yīng)用,如開關(guān)電源、電池管理等。

請(qǐng)注意,在具體設(shè)計(jì)中應(yīng)仔細(xì)參考該器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)以及應(yīng)用手冊(cè),以確保正確的使用和性能。

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