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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FTU36N06N-VB場效應管一款N溝道TO251封裝的晶體管

型號: FTU36N06N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO251封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:FTU36N06N-VB
絲印: VBFB1630
品牌: VBsemi
封裝: TO251
詳細參數(shù)說明:

溝道類型(Channel Type): N—Channel
最大漏電流(Maximum Drain Current): 25A
最大漏電壓(Maximum Drain-Source Voltage): 60V
導通電阻(On-Resistance): RDS(ON)=32mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
閾值電壓(Gate Threshold Voltage): Vth=2.4V
 

應用簡介:
FTU36N06N-VB是一款N—Channel溝道場效應晶體管,具有高漏電流、低漏電壓、低導通電阻等卓越性能。采用TO251標準封裝,適用于多種電子應用。

主要應用領域模塊:

電源開關模塊: 由于FTU36N06N-VB的N—Channel結構,適用于電源開關模塊,實現(xiàn)高效的電源控制和管理。

電機驅動模塊: 可用于電機驅動模塊,確保電機運行時的高效性能,例如在電動工具和小型電機驅動中。

電源逆變器模塊: 適用于電源逆變器模塊,用于將直流電源轉換為交流電源,如太陽能逆變器。

高電流負載開關模塊: 由于25A的最大漏電流,可用于高電流負載開關模塊,如電源開關電路、高功率LED驅動等。

使用注意事項:

請按照廠家提供的規(guī)格書和應用指南使用,并確保工作條件在組件的規(guī)定范圍內。
確保電路設計合理,以防過電流、過電壓等情況對器件造成損害。
注意適當?shù)纳嵩O計,特別是在高功率應用中,以確保器件在正常工作溫度范圍內。
遵循焊接和封裝的相關標準,確保器件與電路板的可靠連接。

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