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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FDT3612-VB場效應管一款N溝道SOT223封裝的晶體管

型號: FDT3612-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT223封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:FDT3612-VB
絲?。?VBJ1101M
品牌: VBsemi
封裝: SOT223
詳細參數(shù)說明:

溝道類型(Channel Type): N—Channel
最大漏電流(Maximum Drain Current): 5A
最大漏電壓(Maximum Drain-Source Voltage): 100V
導通電阻(On-Resistance): RDS(ON)=100mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
閾值電壓(Gate Threshold Voltage): Vth=2~4V
 

應用簡介:
FDT3612-VB是一款N—Channel溝道場效應晶體管,具有適中的漏電流、較高的漏電壓、低導通電阻等特性。采用SOT223標準封裝,適用于多種電子應用。

主要應用領域模塊:

電源開關模塊: 適用于電源開關模塊,實現(xiàn)高效的電源控制和管理,尤其在低至中功率的應用中表現(xiàn)出色。

電流控制模塊: 由于其適中的性能參數(shù),可用于電流控制模塊,實現(xiàn)對負載電流的有效控制。

電池保護模塊: 適用于電池保護電路,提供對電池的有效保護。

使用注意事項:

請按照廠家提供的規(guī)格書和應用指南使用,并確保工作條件在組件的規(guī)定范圍內(nèi)。
確保電路設計合理,以防過電流、過電壓等情況對器件造成損害。
注意適當?shù)纳嵩O計,特別是在高功率應用中,以確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
遵循焊接和封裝的相關標準,確保器件與電路板的可靠連接。

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