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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTD4860NT4G-VB場效應管一款N溝道TO252封裝的晶體管

型號: NTD4860NT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: NTD4860NT4G-VB
絲印: VBE1307
品牌: VBsemi
封裝: TO252

**詳細參數(shù)說明:**
- 架構: N-Channel MOSFET
- 電壓等級: 30V
- 電流能力: 60A
- RDS(ON): 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): 1.6V

**應用簡介:**
NTD4860NT4G-VB是一款TO252封裝的N-Channel MOSFET,適用于多種領域的高電流、低導通電阻的電路設計。以下是該器件可能應用于的領域和模塊:

1. **電源模塊:** 適用于高功率電源模塊,如電源放大器和電源逆變器。

2. **電機控制:** 可用于高功率電機驅動,如電動工具和電動車輛。

3. **電源開關:** 在要求高電流和低導通電阻的電源開關模塊中可以發(fā)揮作用。

4. **電源放大器:** 適用于高功率放大器的輸出級,提高功率放大器的效率。

**使用注意事項:**
- 在設計電路時,確保了解和遵循器件的最大額定電壓和電流,以防止器件損壞。
- 由于高功率特性,需要考慮適當?shù)纳岽胧?,以確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 注意閾值電壓,確保在實際應用中滿足所需的電流和電壓條件。

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