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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4405DY-T1-GE3-VB場效應管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

型號: SI4405DY-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號: SI4405DY-T1-GE3-VB

絲印: VBA2309

品牌: VBsemi

參數:
- 封裝: SOP8
- 溝道類型: P-Channel
- 最大電壓(Vds): -30V
- 最大電流(Id): -11A
- 開通電阻(RDS(ON)): 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1.5V

應用簡介:
SI4405DY-T1-GE3-VB是一款SOP8封裝的P-Channel MOSFET,具有最大電壓-30V,最大電流-11A,以及低開通電阻。其開通電阻在VGS為10V和20V時分別為11mΩ。該器件適用于需要P-Channel MOSFET的電子應用領域。

應用領域:
這款器件可能在多種電子應用領域中得到廣泛應用,包括但不限于:
- 電源開關
- 電池管理
- 電源逆變器
- 電源管理

作用:
在這些模塊上,SI4405DY-T1-GE3-VB可以用作功率開關,幫助實現(xiàn)高效的功率轉換和電源管理。它可以在電路中充當開關,控制電流的通斷,從而調節(jié)電源輸出。

使用注意事項:
在使用SI4405DY-T1-GE3-VB時,請注意以下事項:
1. 請確保在規(guī)定的電壓和電流范圍內使用,以避免損壞器件。
2. 遵循廠商提供的數據表中的工作條件和限制。
3. 適當的散熱是重要的,特別是在高電流應用中,以確保器件在工作時保持適當的溫度。
4. 注意閾值電壓,確保在適當的電壓范圍內操作。

以上信息僅供參考,具體的應用和注意事項可能需要根據具體的電路設計和應用要求進行調整。

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